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石山 新太郎; 大場 弘則; 山本 春也; 菖蒲 敬久
no journal, ,
イオン注入とレーザー照射技術を組合せることにより、光学素子材である難加工性のサファイアの微細加工に成功した。0.3MeVのH
をサファイア表面から注入した際に、表面から約1
mの深さにH注入時に生じた点欠陥層が生成すること、並びにこの層の生成によりイオン注入サファイアで約200nm波長での特異な光吸収があることを発見した。この特性を利用して同波長のエキシマレーザーをイオン注入サファイアに照射したところ、レーザー照射領域で点欠陥層深さの矩形加工溝の加工を行うことができることがわかった。
三輪 周平; 逢坂 正彦; 臼杵 俊之*; 矢野 豊彦*
no journal, ,
処理処分が社会問題となっているアスベスト廃材を、イナートマトリックス燃料の焼結助剤として用いる作製プロセスの概念を考案した。本研究では、イナートマトリックス燃料の構成材料であるMgO並びにMA酸化物の模擬材としてのCeOの緻密化挙動に及ぼす、アスベスト廃材由来の助剤、すなわちフォルステライト(MgSiO
),エンスタタイト(MgSiO
)の影響を調べた。MgO及びCeOについて、1wt.%のMgSiO, MgSiOの添加により焼結密度は上昇し、これらの助剤が緻密化に有効であることがわかった。
杉本 雅樹; 吉村 公男; 出崎 亮; 吉川 正人; 麻野 敦資*; 関 修平*
no journal, ,
炭化ケイ素(SiC)セラミックスの前駆体であるポリカルボシラン(PCS)の薄膜にイオンビーム照射すると、個々のイオンの飛跡に添って架橋体が形成される。これを溶媒抽出して得られるPCSナノファイバーの表面に官能基を付与し、PtやPd等の金属を配位してから焼成することで、触媒能を有するSiCナノファイバーを作製する研究開発を行った。当初、PCS薄膜に照射したイオン(Xe, 450MeV)の飛跡に添って発生するラジカルのうち、架橋体の形成に寄与しない残存ラジカルの反応性を利用して官能基をPCSナノファイバーに付与しようとしたが、溶媒抽出の工程でPCSナノファイバーは膨潤し残存ラジカルは消滅していた。そこで、液状グラフトモノマーとして利用されているメタクリル酸グリシジル(GMA)を抽出溶媒として用いたところ、抽出と同時にPCSナノファイバー内の残存ラジカルを反応点としてGMAがグラフト重合することが明らかとなった。得られたグラフト化PCSナノファイバーのグラフト鎖を、PtあるいはPd配位官能基に変換した後、アルゴン中で焼成してSiCセラミックナノファイバーを作製した結果、焼成後であってもGMAの付与量と配位金属量に相関が認められた。今後、SiCナノファイバー中の金属の分散状況、その触媒能の有無を調べる予定である。